усилителя низкой частоты

AEVel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_ВЫХ.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
1	700	40	4×10^–5	8	3,8	2

AEWel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
2	1100	85	6×10^–5	5,5	4,2	3,8

AEXel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
3	550	200	7×10^–5	4,8	3,2	6

AEYel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
4	640	55	12×10^–5	6	5	14

AEZel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
5	980	80	8×10^–5	3	4,8	0,8

AFAel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
6	860	120	5×10^–5	5	10	1,2

AFBel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
7	1000	90	9×10^–5	4	8	3

AFCel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
8	540	100	4×10^–5	3,5	3,6	2,4

AFDel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
9	950	60	11×10^–5	6	5,4	28

AFEel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
10	880	110	7×10^–5	3,8	4,2	12

AFFel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
11	660	75	6×10^–5	4,6	6,4	5,5

AFGel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
12	1200	125	5×10^–5	12	8,5	8,4

AFHel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
13	750	45	4×10^–5	50	12	11

AFIel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
14	920	60	9×10^–5	14	4,4	24

AFJel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
15	800	85	7×10^–5	18	5,6	15

AFKel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
16	680	130	8×10^–5	4,5	7,5	6

AFLel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
	17	1050	50	5×10^–5	33	4,6

AFMel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
18	580	35	4×10^–5	15	3,7	60

AFNel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
19	900	95	6×10^–5	5	2,8	14

AFOel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
20	840	105	9×10^–5	4,4	10	5

AFPel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
21	800	130	9×10^–5	15	2,8	24

AFQel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
22	950	60	11×10^–5	50	12	3

AFRel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
23	1200	120	4×10^–5	5	3,6	0,8

AFSel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
24	580	85	5×10^–5	4,8	10	14

AFTel
В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h_11Э, Ом	h_21Э	h_22Э, Ом ^–1	R_H, кОм	R_К, кОм	U_ВХ, мВ
25	640	100	12×10^–5	8	3,8	3,8

AJRel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=2,0Вт;
источник входного сигнала ― микрофон электретный;
коэффициент частотных искажений [М_н]=3дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=2,0%;
элементная база: входного каскада ― R235;
выходного каскада ― транзисторы;
рабочий диапазон частот 50…20000Гц;
внутреннее сопротивление R_г=250 Ом;
выходное напряжение U=1,7мВ.

AJSel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=3Вт;
источник входного сигнала ― звукосниматель электромагнитный;
коэффициент частотных искажений М_н=5дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=3%;
элементная база: входного каскада ― транзисторы;
выходного каскада ― К174;
рабочий диапазон частот 50…6000Гц;
внутреннее сопротивление R_г=800 Ом;
выходное напряжение U=50мВ.

AJTel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=5Вт;
источник входного сигнала ― магнитная головка;
коэффициент частотных искажений [М_н]=5дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=2%;
элементная база: входного каскада ― К548;
выходного каскада ― транзисторы;
рабочий диапазон частот 50…10000;
внутреннее сопротивление R_г=10⁵Ом;
выходное напряжение U=2,5В.

AJUel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=6Вт;
источник входного сигнала ― микрофон электродинамический;
коэффициент частотных искажений М_н=4дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=2%;
элементная база: входного каскада ― К174;
выходного каскада ― транзисторы;
рабочий диапазон частот 50…10000Гц;
внутреннее сопротивление R_г=250…600 Ом;
выходное напряжение U=0,1…60мВ.

AJVel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=1,5Вт;
источник входного сигнала ― звукосниматель электромагнитный;
коэффициент частотных искажений [М_н]= 4дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=2,0%;
элементная база: входного каскада ― К174;
выходного каскада ― транзисторы;
рабочий диапазон частот 50…6000 Гц;
внутреннее сопротивление R_г= 400 Ом;
выходное напряжение U=0,05В.

AJWel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=1,0Вт;
источник входного сигнала ― детекторный приемник;
коэффициент частотных искажений М_н=3дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=2,0%;
элементная база: входного каскада ― К174;
выходного каскада ― транзисторы;
рабочий диапазон частот 50…6000Гц;
внутреннее сопротивление R_г=20 Ом;
выходное напряжение U=0,2В.

AJXel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=6Вт;
источник входного сигнала ― микрофон конденсаторный;
коэффициент частотных искажений [М_н]=4дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=1,0%;
элементная база: входного каскада ― транзисторы;
выходного каскада ― К224;
рабочий диапазон частот 50…20000Гц;
внутреннее сопротивление R_г=250 Ом;
выходное напряжение U=1,7·10^–3В.

AJYel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=8Вт;
источник входного сигнала ― микрофон электретный;
коэффициент частотных искажений М_н=3дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=3,0%;
элементная база: входного каскада ― транзисторы;
выходного каскада ― К224;
рабочий диапазон частот 50…20000Гц;
внутреннее сопротивление R_г=300 Ом;
выходное напряжение U=1,5мВ.

AJZel
Построить принципиальную схему и выполнить расчет параметров каскадов многокаскадного усилителя низкой частоты.
Исходные данные:
выходная мощность Р_вых=1,0Вт;
источник входного сигнала ― звукосниматель пьезоэлектрический;
коэффициент частотных искажений [М_н]=2дБ;
коэффициент нелинейных искажений [к_г]=1,5%;
элементная база: входного каскада ― К157;
выходного каскада ― транзисторы;
рабочий диапазон частот 50…7000 Гц;
внутреннее сопротивление R_г=1000 Ом;
выходное напряжение U=0,5В.