23746
В образец кремния вводится примесь n-типа с концентрацией 5,0·10²³ м^–3. После этого концентрация неосновных носителей в нем при температуре 300 К составляет 2,42·10¹⁰ м^–3. Определить концентрацию собственных носителей n_i в кремнии при температуре 300 К в предположении, что все примеси ионизированы.

23747
Считается, что полупроводниковый материал пригоден для использования в приборе, если при рабочих температурах концентрация собственных носителей n_i ≤ 1,1·10²⁰ м^–3. Определить максимальную рабочую температуру приборов на основе арсенида галлия (GaAs), у которого Ширина запрещенной зоны равна 1,43 эВ, плотность состояний у дна зоны проводимости 4,7·10²³ м^–3, а у потолка валентной зоны 7,0·10²⁴ м^–3. При этом можно считать, что величины ширины запрещенной зоны и плотностей состояний не зависят от температуры.

23750
В чистом германии концентрация собственных носителей при температуре 300 К равна 2,25·10¹⁹ м^–3. Подвижности электронов и дырок при этой температуре соответственно равны 0,4 м²/(В·с) и 0,2 м²/(В·с). Определить проводимость чистого германия и германия с концентрацией акцепторов 4,5·10²¹ м^–3.

23751
Определить коэффициент амбиполярной диффузии в кремнии при температуре 300 К, если концентрация электронов в Si равна 10¹¹ см^–3, а подвижность электронов и дырок соответственно равна 1500 см²/(В·с) и 500 см²/(В·с). Собственная концентрация носителей 10¹⁰ см^–3.

23753
Определить коэффициент амбиполярной диффузии в полупроводнике, если известно, что на расстоянии 0,7 мм от его освещенной поверхности концентрация неравновесных носителей тока спадает в два раза, а время их жизни равно 500 мкс.

23755
Коэффициент амбиполярной диффузии в полупроводнике равен 25 см²/с, а время жизни неравновесных носителей тока 200 мкс. Определить концентрацию неравновесных носителей тока на расстоянии 0,5 мм от освещенной поверхности полупроводника, если их концентрация на поверхности 10¹⁵ см^–3.

24287
Вычислите концентрацию собственных носителей заряда в кремнии при Т = 300 К.

24338
Собственный полупроводник (германий) имеет при некоторой температуре удельное сопротивление 0,48 Ом м. Определить концентрацию носителей заряда, если подвижности электронов и дырок соответственно равны 0,36 и 0,16 м²/(Вс).

24346
Определить концентрацию свободных носителей заряда в чистом кремнии при Т = 300 К.

10964
Собственный полупроводник (германиевый) имеет при некоторой температуре удельное сопротивление р = 0,5 Ом·м. Определить концентрацию n носителей тока, если подвижность электронов u_n = 0,38 м²/(В·с) и дырок u_p = 0,18 м²/(В·с).

AKDel
Удельное сопротивление полупроводника n-типа с подвижностью дырок μ_n = 0,39 м²/В·с равно ρ = 1 Ом·см. Определить концентрацию доноров.