60299
При увеличении температуры кремниевого образца в 1,1 раза его проводимость увеличилась в 2 раза. Определить начальную температуру образца. Ширина запрещенной зоны кремния 1,1эВ.

10493
При нагревании кристалла из чистого кремния от температуры 0 °С до температуры 10 °С его удельная проводимость возрастает в 2,28 раза. По этим данным Определить ширину запрещенной зоны кристалла кремния.

50414
Вычислить концентрацию собственных и примесных носителей в германии, содержащем 0,001% мышьяка, при комнатной температуре. Ширина запрещенной зоны ΔЕ_з = 075 эВ, энергия активации Е_а = 0,015 эВ (m_e = m_p).

60094
Во сколько раз изменится концентрация носителей тока в беспримесном полупроводнике (индии) при нагревании его от t₁ = 27°С до t₂ = 127°С, если ширина запрещенной зоны данного полупроводника равна 1,4 эВ? Найти концентрацию носителей тока в этом полупроводнике при температуре 127°С.

17278
Сила тока через полупроводник поддерживается постоянной. При температуре 20°C падение напряжения на полупроводнике равно 27 В. С увеличением температуры до 100°С напряжение падает до 10 В. Определите ширину запрещенной зоны полупроводника.

19463
Из чистого кремния изготовлена пластинка длиной 3 мм. Один торец пластинки поддерживается при температуре 20°C, а другой — при температуре 50°С. Найдите плотность диффузионного тока в пластинке. Ширина запрещенной зоны кремния равна 1,1 эВ.

19493
Сила тока через полупроводник поддерживается постоянной. При температуре t₁ = 25 °C падение напряжения на образце U₁ = 30 В. С увеличением температуры до t₂ = 95 °C падение напряжения изменилось и стало U₂ = 12 В. Определите ширину запрещенной зоны. Начертите график зависимости ln n от 1/T. Объяснить. Определить концентрацию собственных носителей заряда в материале 1-й задачи, используя результаты решения t = 25 °C, N_c = N_v = 2,5·10¹⁹ см^–3.

20985
Длинноволновый край полосы поглощения чистого полупроводника лежит вблизи длины волны 14,5 мкм. Найдите ширину запрещенной зоны этого полупроводника.

21608
При нагревании чистого полупроводника от температуры 27°С до некоторой температуры Т₂ его сопротивление уменьшилось в два раза. Найти эту температуру, если "ширина" запрещенной зоны данного полупроводника равна ΔE_з = 1,4 эВ.

21884
При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от Т₁ = 300 К до Т₂ = 400 К увеличивается удельная электрическая проводимость в 5,2 раза. Найти ширину запрещенной зоны полупроводника.

22330
Из монокристалла германия изготовлен цилиндр длиной 10 мм. Торцы цилиндра поддерживаются при температурах –20°C и +20°C. Вычислите электронную составляющую плотности диффузионного тока в цилиндре. Принять, что концентрация электронов в цилиндре изменяется линейно. Подвижности носителей зарядов электронов μ_n = 0,39 м²/(В·с), дырок μ_p = 0,19 м²/(В·с). Ширина запрещенной зоны германия равна 0,72 эВ.

22471
Ширина запрещенной зоны полупроводника 1,8·10^–19Дж. При температуре 1000 К логарифм удельной электропроводности равен 6. Во сколько раз и в какую сторону изменится проводимость полупроводника, если температуру в одном случае увеличить на 100°С, а в другом - уменьшить на 100°С по отношению к 1000 К?

22476
Длинноволновый край полосы поглощения инфракрасного излучения для чистого германия лежит вблизи длины волны 19 мкм. Исходя из этого, найдите (в эВ) ширину запрещенной зоны.

22611
Удельное сопротивление некоторого собственного полупроводника при 20°C равно 115 Ом·м, а его же удельное сопротивление при температуре 100°С — 3,86 Ом·м. Найдите электропроводность этого полупроводника при 0°С и ширину его запрещенной зоны.

22614
К пластинке размером 12×4×1,5 мм³, изготовленной из кремния, приложено напряжение 20 В. Найдите силу тока в пластинке при температуре –20°C. Подвижности носителей зарядов: электронов μ_n = 0,13 м²/(В·с), дырок μ_p = 0,05 м²/(В·с). Ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.

23196
В собственном германии ширина запрещенной зоны при температуре 300 К равна 0,665 эВ. На сколько надо повысить температуру, чтобы число электронов в зоне проводимости увеличилось в два раза? Температурным изменением эффективной плотности состояний для электронов и дырок при расчете пренебречь.

23316
Определить максимальную ширину запрещенной зоны, которую может иметь полупроводник, используемый в качестве фотодетектора, если он должен быть чувствительным к излучению с длиной волны λ = 565 нм.

23356
Рассчитать равновесную концентрацию электронов в собственном полупроводнике с шириной запрещенной зоны 1,04 эВ при температуре 33°С и m_p· = m_e·.

23357
Ширина запрещённой зоны полупроводника равна 0,75 эВ. Насколько увеличили его температуру от 17°С, если удельное сопротивление уменьшилось в 4,6 раза?

23524
Из арсенида галлия изготовлен цилиндр длиной 16 мм и диаметром 4 мм. К торцам цилиндра приложено напряжение 200 В. Определите силу тока в цилиндре при температуре 20°C. Во сколько раз изменится эта сила тока, если цилиндр нагреть на 40°С? Подвижности носителей зарядов: электронов μ_n = 0,05 м²/(В·с), дырок μ_p = 0,01 м²/(В·с). Ширина запрещенной зоны арсенида галлия равна 1,41 эВ.

23702
Во сколько раз изменится концентрация электронов проводимости в собственном полупроводнике в невырожденном случае при изменении температуры от 200 К до 300 К, если ширина запрещенной зоны изменяется по закону ΔЕ = (0,785–ξТ) эВ.

23736
Собственный полупроводник при температуре 300 К имеет сопротивление 5·10⁵ Ом. Если его нагреть до температуры 400 К, то его сопротивление уменьшится до 2,5·10⁵ Ом. Найти Ширину запрещенной зоны.

23739
Во сколько раз изменится сопротивление германиевого образца, если его охладить от комнатной температуры 20 °С до температуры жидкого азота (77 К). Ширину запрещенной зоны считать равной 0,72 эВ.

23740
Для приборов на основе германия предельная рабочая температура (температура, при которой собственная концентрация носителей тока становится сравнимой с примесной) равна 75 °С. Определить предельную рабочую температуру для приборов на основе кремния. Ширина запрещенной зоны германия равна 0,72 эВ, а кремния 1,1 эВ.

23743
При температуре 300 К концентрация электронов в зоне проводимости равна 1,5·10¹⁶ м^–3. Определить положение энергии Ферми относительно дна зоны проводимости и Ширину запрещенной зоны при температуре 0 К. Плотность состояний в зоне проводимости принять равной 2,5·10²⁵ м^–3.

23763
Прямое напряжение, приложенное к p-n-переходу, равно 0,2 В. Вычислить отношение сил тока через переход при температурах 273 К и 300 К. Ширина запрещенной зоны равна 1 эВ.

24290
В результате изучения температурной зависимости сопротивления полупроводника получены следующие данные:

T, К	559	785	878	1020	1205
R, Ом	104	103	102	10	1

По этим данным Определите ширину запрещенной зоны.

24383
Германий, имеющий температуру 300 °С, был охлажден так, что его удельное сопротивление увеличилось в 10 раз. До какой температуры он был охлажден? Ширина запрещенной зоны 0,7 эВ.

24806
Какой должна быть ширина запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлен светодиод, светящийся зеленым светом (λ = 500 нм)?

25129
Вычислить собственные концентрации электронов в германии и кремнии при Т = 300 К. Эффективные массы плотности состояний в валентной зоне m_dp принять равными 0,362m₀ для Ge и 0,595m₀ — для Si. Ширина запрещенной зоны при Т = 300 К составляет 0,66 эВ в Ge и 1,1 эВ в Si.