60552
В вакууме находится бесконечная диэлектрическая пластина толщиной 84 мм, помещенная в перпендикулярное к ней поле напряженностью 15 кВ/м. Ее диэлектрическая проницаемость изменяется линейно в направлении поля от 10 до 44. Найти модуль объемной плотности связанных зарядов на расстоянии 1/3 ее толщины от первой границы.

13174
Находящаяся в вакууме изолирующая пластина с относительной диэлектрической проницаемостью 3 внесена в однородное электрическое поле с напряженностью 10 В/м так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля составляет 63 градуса. Найти плотность связанных зарядов, возникающих на поверхности пластины.

13176
Находящаяся в вакууме изолирующая пластина с относительной диэлектрической проницаемостью 3 внесена в однородное электрическое поле с напряженностью 10 В/м так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля составляет 60°. Найти (в пКл/м²) плотность связанных зарядов, возникающих на поверхности пластины.

13177
Находящаяся в вакууме изолирующая пластинка с относительной диэлектрической проницаемостью 22 внесена в однородное электрическое поле напряженностью 309 В/м так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля составляет 69°. Найти плотность связанных зарядов, возникающих на поверхности пластинки.

13178
Находящаяся в вакууме изолирующая пластинка с относительной диэлектрической проницаемостью 26 внесена в однородное электрическое поле напряженностью 274 В/м так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля составляет 58°. Найти плотность связанных зарядов, возникающих на поверхности пластинки.

13179
Находящаяся в вакууме изолирующая пластинка с относительной диэлектрической проницаемостью 36 внесена в однородное электрическое поле напряженностью 276 В/м так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля составляет 61°. Найти плотность связанных зарядов, возникающих на поверхности пластинки.

13180
Находящаяся в вакууме изолирующая пластинка с относительной диэлектрической проницаемостью 24 внесена в однородное электрическое поле напряженностью 451 В/м так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля составляет 16°. Найти плотность связанных зарядов, возникающих на поверхности пластинки.

13181
Находящаяся в вакууме изолирующая пластинка с относительной диэлектрической проницаемостью 13 внесена в однородное электрическое поле напряженностью 161 В/м так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля составляет 58°. Найти плотность связанных зарядов, возникающих на поверхности пластинки.

16088
Стеклянная пластина с диэлектрической проницаемостью ε = 5 внесена в однородное электрическое поле с напряженностью E₀ = 20 В/м и расположена так, что угол между нормалью к пластине и направлениях внешнего поля равен 30°. Найти поверхностную плотность связанных зарядов, возникших в пластине.

16089
Пластина с диэлектрической проницаемостью ε = 5 внесена в однородное электрическое поле с напряженностью E₀ = 30 В/м и расположена так, что угол между нормалью к пластине и направлением внешнего поля равен 45°. Найти поверхностную плотность связанных зарядов, возникших в пластине.

24083
Металлический шар радиусом R₁, имеющий потенциал φ, окружают концентрической сферической металлической оболочкой радиусом R₂. Чему станет равен потенциал шара, если оболочку заземлить? Найдите поверхностную плотность заряда на оболочке после ее заземления.

24387
Пластинка движется со скоростью v = 0,8 м/с — в однородном магнитном поле с индукцией 70 мТл. Найдите поверхностную плотность зарядов, возникающих на пластине вследствие ее движения.